{"id":68184,"date":"2026-03-19T10:00:12","date_gmt":"2026-03-19T10:00:12","guid":{"rendered":"https:\/\/soydeaqui.ddns.net\/pachuca\/index.php\/producto\/transistor-de-potencia-mosfet-para-175-530-mhz-70-watt\/"},"modified":"2026-03-19T10:00:15","modified_gmt":"2026-03-19T10:00:15","slug":"transistor-de-potencia-mosfet-para-175-530-mhz-70-watt","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/soydeaqui.ddns.net\/pachuca\/index.php\/producto\/transistor-de-potencia-mosfet-para-175-530-mhz-70-watt\/","title":{"rendered":"Transistor de Potencia MOSFET para 175 \/ 530 MHz, 70 Watt."},"content":{"rendered":"
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\n

Características principales<\/h3>\n
    \n
  • Potencia de salida de hasta 84W típicamente<\/li>\n
  • Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz<\/li>\n
  • Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete<\/li>\n
  • Diodo integrado de protección para la puerta<\/li>\n
  • Diseñado para amplificadores VHF\/UHF de alta potencia<\/li>\n<\/ul><\/div>\n
    \n

    Especificaciones eléctricas<\/h3>\n
      \n
    • Tensión drenaje-fuente:<\/strong> 40V (máx.)<\/li>\n
    • Tensión puerta-fuente:<\/strong> -5\/+10V<\/li>\n
    • Disipación del canal:<\/strong> 300W<\/li>\n
    • Corriente de drenaje:<\/strong> 20A (máx.)<\/li>\n
    • Temperatura de canal:<\/strong> 175°C<\/li>\n
    • Resistencia térmica:<\/strong> 0.5°C\/W<\/li>\n<\/ul><\/div>\n
      \n

      Desempeño RF<\/h3>\n
        \n
      • Potencia de salida:<\/strong> 84W típico a 175MHz<\/li>\n
      • Eficiencia:<\/strong> 74% típico a 175MHz<\/li>\n
      • Potencia de entrada:<\/strong> 4.0W a 175MHz<\/li>\n
      • Potencia de salida:<\/strong> 75W típico a 530MHz<\/li>\n
      • Eficiencia:<\/strong> 64% típico a 530MHz<\/li>\n
      • Potencia de entrada:<\/strong> 5.5W a 530MHz<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n
        \n
        \n
        Frecuencia de operación<\/div>\n
        \n
          \n
        • Rango VHF: 135-175 MHz<\/li>\n
        • Rango UHF: 450-530 MHz<\/li>\n
        • Frecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n
          \n
          Condiciones de prueba<\/div>\n
          \n
            \n
          • Tensión de prueba: 12.5V<\/li>\n
          • Corriente de polarización: 1.0A total \/ 0.5A por lado<\/li>\n
          • Impedancia: 50Ω<\/li>\n
          • Tasa de VSWR: 20:1<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n
            \n
            Compatibilidad<\/div>\n
            \n
              \n
            • Cumple con RoHS<\/li>\n
            • Plomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%)<\/li>\n
            • Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperatura<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
              \n
              \n
              Aplicaciones<\/div>\n
              \n
                \n
              • Etapa de salida de amplificadores de alta potencia<\/li>\n
              • Sistemas de radio móvil VHF\/UHF<\/li>\n
              • Equipos de comunicación de banda ancha<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n
                \n
                Condiciones ambientales<\/div>\n
                \n
                  \n
                • Temperatura de operación: -40°C a 175°C<\/li>\n
                • Temperatura de almacenamiento: -40°C a 175°C<\/li>\n
                • Temperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique)<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
                  \n
                  \n
                  Características eléctricas típicas<\/div>\n
                  \n
                    \n
                  • Corriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μA<\/li>\n
                  • Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5μA<\/li>\n
                  • Tensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) – 2.4V (máx.)<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n
                    \n
                    Configuración del circuito<\/div>\n
                    \n
                      \n
                    • Paquete de moldeado<\/li>\n
                    • Conexión de múltiples electrodos<\/li>\n
                    • Diseño para evaluación VHF (135-175MHz)<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n
                      \n
                      Composición del paquete<\/div>\n
                      \n
                        \n
                      • Material: Silicio<\/li>\n
                      • Encapsulado: Paquete de molde<\/li>\n
                      • Configuración de pines<\/li>\n
                      • Cumple con estándares RoHS<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
                        \n
                        \n
                        Configuración de pines<\/div>\n
                        \n
                          \n
                        • 1. Fuente (común)<\/li>\n
                        • 2. Drenaje<\/li>\n
                        • 3. Drenaje<\/li>\n
                        • 4. Fuente (común)<\/li>\n
                        • 5. Fuente (común)<\/li>\n
                        • 6. Puerta<\/li>\n
                        • 7. Puerta<\/li>\n
                        • 8. Fuente (común)<\/li>\n
                        • 9. Fuente (común)<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n
                          \n
                          Características de diseño<\/div>\n
                          \n
                            \n
                          • Diseño para alta eficiencia<\/li>\n
                          • Optimizado para VHF\/UHF<\/li>\n
                          • Conexión de múltiples electrodos<\/li>\n
                          • Construcción de bajo ESR<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
                            \n
                            \n
                            \n

                            Evaluación y prueba<\/h3>\n
                              \n
                            • Evaluación en placa de prueba VHF<\/li>\n
                            • Impedancia característica: 50Ω<\/li>\n
                            • Material del sustrato: Epoxi de vidrio<\/li>\n
                            • Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz<\/li>\n
                            • Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz<\/li>\n
                            • Documentación: AN-VHF-049<\/li>\n<\/ul><\/div>\n
                              \n

                              Componentes asociados<\/h3>\n
                                \n
                              • Capacitores cerámicos de alta Q<\/li>\n
                              • Bobinas de precisión<\/li>\n
                              • Resistencias de chip SMD<\/li>\n
                              • Capacitores electrolíticos de 220μF<\/li>\n<\/ul><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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