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Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

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Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

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Descripción

Características Principales

  • Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
  • Rango de frecuencias: 30-500 MHz
  • Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
  • Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
  • Potencia máxima de salida: 125 Watt

Máximos Permisibles
  • VCEO: 30 Vdc
  • VCBO: 60 Vdc
  • VEBO: 4.0 Vdc
  • IC: 16 Adc
  • PD: 270 Watts (a TC = 25°C)
  • Derate: 1.54 W/°C
  • Tstg: -65 a +150 °C
  • TJ: 200 °C

Características Térmicas
  • RθJC: 0.65 °C/W

Características Eléctricas
  • hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
  • Cob: 75-95 pF

Características de Operación
  • Ganancia: 8-10 dB
  • Eficiencia: 50-55%
  • VSWR: 30:1 sin degradación
  • Impedancia: 20 Ω

Configuración
  • Dos transistores en un solo encapsulado
  • Configuración push-pull
  • Emisores comunes
  • Redes de adaptación de impedancia integradas
  • Metabolización de oro para alta confiabilidad

Frecuencias de Operación
  • Frecuencia de prueba: 400 MHz
  • Rango de frecuencia: 30-500 MHz
  • Reducción de potencia: 10 W a 14 W
  • Tensión de prueba: 28 Vdc

Aplicaciones

  • Amplificadores de señal RF
  • Sistemas de comunicación de banda ancha
  • Equipos de prueba y medición RF
  • Sistemas de radiodifusión
  • Amplificadores lineales de alta potencia

Especificaciones de Prueba
  • Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz
  • Prueba de eficiencia: 55% típico
  • Prueba de adaptación: VSWR 30:1
  • Prueba de impedancia: 20 Ω

Impedancia Óptima
  • 100 MHz: 0.72 + j0.44 Ω
  • 225 MHz: 0.72 + j2.62 Ω
  • 400 MHz: 3.88 + j5.72 Ω
  • 450 MHz: 3.84 + j2.8 Ω
  • 500 MHz: 1.26 + j3.01 Ω

Dimensiones
  • A: 22.60-23.11 mm
  • B: 9.52-10.03 mm
  • C: 6.65-7.16 mm
  • D: 1.60-1.95 mm
  • E: 2.94-3.40 mm

Información adicional

Peso 0.01 kg

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